国产EUV光刻机突破，即将试产！良率可达70%

据相关消息爆料，在东莞松山湖畔的华为工厂里，由华为联合国内产业链自主研发的EUV光刻机已完成装机调试，进入芯片试生产流程，其试产良率可达70%。该设备核心光源采用哈工大研发的激光诱导放电等离子体（LDP）技术，能量转换效率达到ASML方案的2.25倍，设备体积却缩小了30%。同时，该技术完全绕开ASML的LPP（激光等离子体）专利壁垒，使得设备功耗降低40%，成本仅为进口设备的1/3。测试数据显示，该设备每小时可处理250片晶圆，超越ASML同级别设备的195片产能。如果消息属实，这将是中国芯片制造领域的一个重大突破。70%的试产良率对于EUV光刻技术来说是一个关键的分水岭，标志着国产EUV从实验室概念跨入工程化应用，为未来大批量、高可靠性的芯片制造铺平了道路。不过，目前这些信息尚未得到官方的正式确认，还需要进一步关注相关的官方报道和权威消息。