存储芯片迎超级周期，全产业链掘金指南
人工智能浪潮席卷全球，存储芯片市场正迎来一个前所未有的“超级周期”。
摩根士丹利最新研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。
这一轮周期与以往截然不同：需求端不再依赖个人消费电子，而是由企业级AI资本开支主导，HBM（高带宽内存）、DDR5及企业级SSD等高端产品成为核心增长引擎。
01 行业变革：AI改写存储芯片周期逻辑
存储芯片行业历来呈现显著的周期性，近13年呈现3-4年一轮的周期规律。
回顾前三轮周期，均由消费电子需求主导：2012-2015年由智能机换机潮驱动；2016-2019年受益于3D NAND产能转移和手机游戏需求；2020-2023年则受疫情催生的远程办公与数据中心需求影响。
当前的第四轮周期与过去有本质不同。AI算力基建与HBM技术革命成为新引擎，推动行业供需结构发生根本性变化。
国际存储巨头业绩的爆发式增长印证了这一趋势。三星电子2025年第三季度营业利润同比增长31.81%，环比大增158.55%，单季营业利润再次回升至10万亿韩元以上。
SK海力士业绩更为亮眼，第三季度运营利润首次突破10万亿韩元大关，同比激增62%，三项核心指标均刷新历史纪录。
02 供需失衡：产业链全面涨价潮起
存储市场正经历严重的供需失衡。集邦咨询将第四季度Conventional DRAM价格预估涨幅从先前的8%-13%上调至18%-23%，并且很有可能再度上调。
DDR4 16Gb 3200现货报价单周暴涨30%，512Gb Flash Wafer十月累计涨幅超20%。
部分原厂甚至暂停报价，形成“一天一个价”的紧张格局。
供需失衡的核心原因在于产能的结构性转移。HBM作为AI服务器不可或缺的组件，其消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上。
为追求更高利润，三星、SK海力士等国际大厂将产能优先分配给HBM和Server DRAM，导致DDR4、LPDDR4X等成熟制程产品供应严重受限。
面对供应紧张，国际电子与服务器厂商积极与三星、SK海力士磋商“2-3年期”中长期供货协议，以锁定未来资源。这种打破以往按季度签约惯例的做法，进一步加剧了市场的紧张预期。
03 产业链机会：从国际巨头到国产新秀
国际龙头：技术引领，占据高端
全球存储市场主要由三星、SK海力士和美光三大巨头垄断，它们在HBM等高端产品领域具有明显优势。
SK海力士在HBM领域优势显著，以58%的市场份额继续占据主导地位。HBM在其第三季度DRAM总销售额中占比高达40%。
三星电子作为全球存储芯片“全能冠军”，在NAND和DRAM双赛道均占据领先地位，市占率分别达32.9%和33.5%。
美光科技作为美国唯一的存储制造商，正押注于因AI竞争而日益增长的HBM需求。
国内阵营：全面突破，替代加速
在国产替代浪潮下，中国存储产业链各环节企业正迎来历史性发展机遇。
设计环节，兆易创新全球NOR Flash市场份额位居前三，2025年一季度营收同比增长17.32%。
北京君正成为车载存储芯片龙头，车载DRAM全球市占率达19%。澜起科技在DDR5接口芯片领域全球领先，市占率超40%。
封测环节，长电科技在HBM封装领域具有优势，8层堆叠良率98.5%超过三星。公司独家承接SK海力士HBM3E封测订单，2025年HBM封装收入预计超50亿元。
通富微电的FCBGA封装支持16层NAND堆叠，良率达98%，已进入英伟达HBM供应链。
模组与材料，江波龙2025年前三季度营收达167.34亿元，同比增长26.12%，第三季度净利润同比激增1994.42%。
雅克科技是全球仅3家能提供HBM封装用low-α球硅填料的企业之一，2025年HBM材料收入预计超20亿元。
04 国产突破：长鑫长江引领国产替代
中国存储芯片企业在关键领域正取得显著突破。长鑫存储近日宣布量产LPDDR5X产品，最高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，功耗则比LPDDR5降低了30%。
湘财证券认为，长鑫存储该款产品推出时间基本同步于国际大厂，并且速率达到国际领先水平。
这些成果表明长鑫存储的技术已达到国际一流水平，有望在全球获得更高的DRAM产品市场份额。
据集邦咨询统计，长鑫存储从最开始在全球内存市场份额不足2%，到2024年年底时已升至10%，预计到2025年年底将增至12%，产能预计增长68%。
资本市场也看好中国存储企业发展，中国证监会官网显示，长鑫存储已完成IPO辅导，市场普遍预期其估值将超1400亿元。
在技术布局方面，国内企业正加速追赶。SK海力士已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判，并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品。
而国内HBM相关企业也在积极布局，赛腾股份的HBM检测设备已实现海外批量出货，中微公司在先进封装领域完成全产业链设备布局，国产替代率已提升至47%。
05 投资策略：掘金产业链不同环节
面对存储芯片超级周期，投资者可重点关注三大主线：技术壁垒、客户结构和产能弹性。
从产业链角度，不同环节的投资逻辑各不相同：
HBM与高端存储：作为AI服务器核心组件，未来增长确定性最强。Yole Group预测，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时营收将占DRAM市场总营收的50%以上。
国产存储芯片：在国产替代政策支持下，国内企业迎来黄金发展期。随着国际大厂将产能转向高端产品，中低端市场出现替代空间。
设备与材料：随着存储芯片技术迭代，高端设备和材料需求增加。High NA EUV光刻机作为下一代芯片制造关键技术，能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度。
在产能布局方面，SK海力士已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求，预计2026年DRAM出货量将同比增长超20%，并预测HBM供应紧张将持续至2027年。
这一趋势为国内企业提供了明确的市场空间。
随着AI从训练向推理阶段推进，非HBM内存的需求增长有望进一步加速，KB证券预测明年其盈利能力或超越HBM，为市场提供新的增长极。
存储芯片市场的“超级周期”只是开端，更大的故事还在后续的产业应用与价值释放。
未来三年，技术迭代与国产化率提升将成为核心发展主线，中国存储芯片企业在全球产业链中的地位将显著增强。
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